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屬性名稱	屬性值
制造商	長(zhǎng)電
產(chǎn)品系列	長(zhǎng)電-三極管（晶體管）
產(chǎn)品類別	三極管（晶體管）
歐盟RoHS指令	符合(2011/65/EU)要求
歐盟REACH法規(guī)	不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

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制造商

長(zhǎng)電

產(chǎn)品系列

長(zhǎng)電-三極管（晶體管）

產(chǎn)品類別

三極管（晶體管）

歐盟RoHS指令

符合(2011/65/EU)要求

歐盟REACH法規(guī)

不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

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數(shù)字晶體管 ,DTC123JKA ,N*P ,100mW ,100mA ,50V ,80 ,SOT-23-3L

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產(chǎn)品推薦 廠商動(dòng)態(tài) 產(chǎn)品應(yīng)用

選擇氮化鎵(SiC)mosfet的5種重要技巧為了證明您選擇 SiC 作為開(kāi)關(guān)模式設(shè)計(jì)的首選功率半導(dǎo)體是正確的，請(qǐng)考慮以下突出的特性。與標(biāo)準(zhǔn)或超級(jí)結(jié) MOSFET 甚至 IGBT 相比，SiC 器件可以在更高的電壓、更高的頻率和更高的溫度下運(yùn)行。其他器件的大部分功率損耗在 SiC 器件中是不存在的，因此 SiC 器件在大多數(shù)應(yīng)用中的效率可以達(dá)到 90% 以上。最初，SiC 器件比其他 MOSFET 或 IGBT 更昂貴。

SiC模塊降低損耗方案有哪些？ SiC模塊降低損耗方案主要考慮到以下4個(gè)方面：采用低電壓、低頻率設(shè)計(jì)，優(yōu)化驅(qū)動(dòng)程序，優(yōu)化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，采用低側(cè)諧振技術(shù)。

為什么SiC MOS負(fù)壓高會(huì)影響閥值漂移 SiC MOSFET 被負(fù)壓影響閥值漂移是因?yàn)檫@種器件具有較高的漏電流，這會(huì)導(dǎo)致控制端電壓與源端電壓之間的差值變小，從而影響 MOSFET 的開(kāi)關(guān)性能。此外，高負(fù)壓還可能導(dǎo)致 MOSFET 進(jìn)入破裂模式，并引發(fā)其他不良影響。

高壓SiC MOSFET器件為什么發(fā)展慢高壓SiC MOSFET器件具有許多優(yōu)勢(shì)，例如低導(dǎo)通電阻、高溫性能和高頻特性等，因此在一些應(yīng)用中有著廣泛的前景，例如電動(dòng)汽車、電力電子變換器和太陽(yáng)能逆變器等。但是，這些器件的發(fā)展相對(duì)較慢，可能有以下幾個(gè)原因：

SiC碳化硅MOS雙脈沖測(cè)試設(shè)備對(duì)驅(qū)動(dòng)板的要求有哪些？ SiC碳化硅MOS雙脈沖測(cè)試設(shè)備對(duì)驅(qū)動(dòng)板的要求如下：

碳化硅(SiC)二極管反向恢復(fù)原理詳解碳化硅二極管是單極器件，因此與傳統(tǒng)的硅快速恢復(fù)二極管(硅FRD)相比，碳化硅二極管具有理想的反向恢復(fù)特性。當(dāng)器件從正向切換到反向阻斷方向時(shí)，幾乎沒(méi)有反向恢復(fù)功率，反向恢復(fù)時(shí)間小于20ns，甚至600V10A碳化硅二極管的反向恢復(fù)時(shí)間也小于10ns。

碳化硅(SiC)二極管是什么？如何判斷好壞碳化硅（SiC）二極管是用碳化硅為原料制作而成的二極管。碳化硅二極管，號(hào)稱反向恢復(fù)時(shí)間為零，是高效PFC boost電路的專用升壓二極管。

MOSFET和SBD區(qū)別有哪些？ MOSFET和SBD是兩種不同類型的半導(dǎo)體器件，其主要區(qū)別如下：1.工作原理不同，2.導(dǎo)通特性不同，3.成本和復(fù)雜度不同。

SiGaNSiC-MOSFET以及Si-IGBT的工作環(huán)境與應(yīng)用市場(chǎng) SiC與MOSFET相比完美地解決了硅基中高壓與高頻很難同時(shí)實(shí)現(xiàn)這一難題，基于與高壓中頻兼容, SiC-MOSFET并以其高效率小體積等特點(diǎn)成為電動(dòng)汽車，充電樁和光伏逆變器（不考慮成本的話）的最優(yōu)方案；

肖特基二極管和碳化硅肖特基二極管的區(qū)別肖特基二極管和碳化硅肖特基二極管是兩種不同類型的二極管。

產(chǎn)品編號(hào)：	QD-DD157N21A603CJ
制造商產(chǎn)品編號(hào)：	DTC144EE
制造商：	長(zhǎng)電
系列：	長(zhǎng)電-三極管（晶體管）
產(chǎn)品類型：	數(shù)字晶體管
極性：	NPN
耗散功率(PD) ：	150MW
電流 (mA) ：	100mA
電壓 (V）：	50V
封裝：	SOT-523
說(shuō)明：	數(shù)字晶體管 ,DTC144EE ,NPN ,150mW ,100mA ,50V ,68 ,SOT-523

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DTC144EE,長(zhǎng)電,數(shù)字晶體管

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DTC144EE,長(zhǎng)電,數(shù)字晶體管

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