SiC MOSFET 被負壓影響閥值漂移是因為這種器件具有較高的漏電流,這會導(dǎo)致控制端電壓與源端電壓之間的差值變小,從而影響 MOSFET 的開關(guān)性能?此外,高負壓還可能導(dǎo)致 MOSFET 進入破裂模式,并引發(fā)其他不良影響?
為了減少這種影響,通常采取以下措施:
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采用與 MOSFET 相匹配的驅(qū)動電路,以保證其最大負壓限制?
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在設(shè)計中加入合適的電容器和限流電阻,以保護 MOSFET?
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使用與 MOSFET 相匹配的開關(guān)頻率和占空比,以避免長時間的高負壓暴露?
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采用合適的熱管理措施,以降低設(shè)備的溫度,降低負壓對 MOSFET 的影響?
總之,減少 SiC MOSFET 被負壓影響閥值漂移的關(guān)鍵是在設(shè)計時加以考慮,采用適當?shù)碾娐泛图夹g(shù)來保護 MOSFET 的性能?(長電-MOS)
