SiC模塊降低損耗方案主要考慮到以下4個(gè)方面:

1.采用低電壓?低頻率設(shè)計(jì):SiC模塊的性能主要受電壓和頻率的影響,當(dāng)電壓越低和頻率越低時(shí),損耗就會(huì)相應(yīng)地減少?

2.優(yōu)化驅(qū)動(dòng)程序:SiC模塊的性能受電壓?頻率和驅(qū)動(dòng)程序設(shè)計(jì)的影響,因此應(yīng)該重點(diǎn)優(yōu)化驅(qū)動(dòng)程序,使其能夠最大限度減少損耗?

3.優(yōu)化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì):應(yīng)該采用合理的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),可以減少散熱器封裝在電路外部,以最大程度減少熱量的傳播,有利于模塊的冷卻,減少損耗?

4.采用低側(cè)諧振技術(shù):低側(cè)諧振技術(shù)可以有效減少因頻率和電壓變化而產(chǎn)生的差動(dòng)損耗,從而有助于降低模塊損耗?(君芯-MOS)