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屬性名稱	屬性值
制造商	長(zhǎng)電
產(chǎn)品系列	長(zhǎng)電-三極管（晶體管）
產(chǎn)品類別	三極管（晶體管）
歐盟RoHS指令	符合(2011/65/EU)要求
歐盟REACH法規(guī)	不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

屬性名稱

屬性值

制造商

長(zhǎng)電

產(chǎn)品系列

長(zhǎng)電-三極管（晶體管）

產(chǎn)品類別

三極管（晶體管）

歐盟RoHS指令

符合(2011/65/EU)要求

歐盟REACH法規(guī)

不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

出貨周期：預(yù)計(jì)發(fā)貨日期 2026-01-09

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產(chǎn)品推薦 廠商動(dòng)態(tài) 產(chǎn)品應(yīng)用

DTA143ZCA

數(shù)字晶體管 ,DTA143ZCA ,PNP ,200mW ,100mA ,50V ,80 ,SOT-23

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DTC124EUA

數(shù)字晶體管 ,DTC124EUA ,NPN ,200mW ,100mA ,50V ,56 ,SOT-323

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數(shù)字晶體管 ,DTC123JKA ,N*P ,100mW ,100mA ,50V ,80 ,SOT-23-3L

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數(shù)字晶體管 ,DTC114TSA ,NPN ,300mW ,100mA ,50V ,100 ,TO-92S

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TSC143TNND03

數(shù)字晶體管 ,TSC143TNND03 ,NPN ,150mW ,100mA ,50V ,100 ,WBFBP-03B(1.2×1.2×0.5)

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TSC143ENND03

數(shù)字晶體管 ,TSC143ENND03 ,NPN ,150mW ,100mA ,50V ,20 ,WBFBP-03B(1.2×1.2×0.5)

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DTA114TM

數(shù)字晶體管 ,DTA114TM ,PNP ,100mW ,100mA ,50V ,100 ,SOT-723

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數(shù)字晶體管 ,DTC143EE ,NPN ,150mW ,100mA ,50V ,20 ,SOT-523

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產(chǎn)品推薦 廠商動(dòng)態(tài) 產(chǎn)品應(yīng)用

碳化硅(SiC)MOSFET在新能源充電樁的廣泛應(yīng)用碳化硅功率器件涵蓋650V/2A-100A，1200V/2A-90A，1700V/5A-80A等系列，產(chǎn)品已經(jīng)投入批量生產(chǎn)，產(chǎn)品完全可以對(duì)標(biāo)國(guó)際品牌同行的先進(jìn)品質(zhì)及水平。先后推出全電流電壓等級(jí)碳化硅肖特基二極管、通過(guò)工業(yè)級(jí)、車規(guī)級(jí)可靠性測(cè)試的碳化硅MOSFET系列產(chǎn)品，性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變電源、新能源電動(dòng)汽車及充電樁、智能電網(wǎng)、高頻電焊、軌道交通、工業(yè)控制特種電源、國(guó)防軍工等領(lǐng)域。

SiC碳化硅MOS雙脈沖測(cè)試設(shè)備對(duì)驅(qū)動(dòng)板的要求有哪些？ SiC碳化硅MOS雙脈沖測(cè)試設(shè)備對(duì)驅(qū)動(dòng)板的要求如下：

MOSFET vds 振鈴是什么？ VDS 震鈴是指在使用碳化硅 MOSFET 時(shí)，VDS（直流源漏電壓）發(fā)生震蕩的現(xiàn)象。這是由于 MOSFET 的特殊工作原理導(dǎo)致的，因?yàn)?MOSFET 是一種開關(guān)器件，它具有在開啟和關(guān)閉狀態(tài)間變化的能力。

碳化硅(SiC)襯底片前景分享碳化硅（SiC）襯底片是制造SiC器件的關(guān)鍵材料之一，它可以提供高度晶格匹配、低缺陷密度和高質(zhì)量的表面平整度。隨著碳化硅功率器件市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大，碳化硅襯底片也得到了廣泛應(yīng)用，并在未來(lái)幾年內(nèi)有望繼續(xù)保持快速增長(zhǎng)。

SiC MOS驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì) SiC?mos驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)?SiC?mos驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)是一個(gè)復(fù)雜的過(guò)程，需要考慮許多因素，如電氣性能、熱特性和封裝選擇。為了提高可靠性和性能，應(yīng)該考慮以下幾個(gè)方面：

SiGaNSiC-MOSFET以及Si-IGBT的工作環(huán)境與應(yīng)用市場(chǎng) SiC與MOSFET相比完美地解決了硅基中高壓與高頻很難同時(shí)實(shí)現(xiàn)這一難題，基于與高壓中頻兼容, SiC-MOSFET并以其高效率小體積等特點(diǎn)成為電動(dòng)汽車，充電樁和光伏逆變器（不考慮成本的話）的最優(yōu)方案；

碳化硅(SiC)MOSFET的反向恢復(fù)電流與電性測(cè)試項(xiàng)目Vgs SiC MOSFET的電性測(cè)試項(xiàng)目Vgs主要指門源電壓（Gate-Source Voltage）。反向恢復(fù)電流（Reverse Recovery Current，簡(jiǎn)稱Irr）是指在二極管反向恢復(fù)過(guò)程中，流過(guò)二極管的電流。

MOSFET和SBD區(qū)別有哪些？ MOSFET和SBD是兩種不同類型的半導(dǎo)體器件，其主要區(qū)別如下：1.工作原理不同，2.導(dǎo)通特性不同，3.成本和復(fù)雜度不同。

碳化硅(SiC)二極管反向恢復(fù)原理詳解碳化硅二極管是單極器件，因此與傳統(tǒng)的硅快速恢復(fù)二極管(硅FRD)相比，碳化硅二極管具有理想的反向恢復(fù)特性。當(dāng)器件從正向切換到反向阻斷方向時(shí)，幾乎沒(méi)有反向恢復(fù)功率，反向恢復(fù)時(shí)間小于20ns，甚至600V10A碳化硅二極管的反向恢復(fù)時(shí)間也小于10ns。

高壓SiC MOSFET器件為什么發(fā)展慢高壓SiC MOSFET器件具有許多優(yōu)勢(shì)，例如低導(dǎo)通電阻、高溫性能和高頻特性等，因此在一些應(yīng)用中有著廣泛的前景，例如電動(dòng)汽車、電力電子變換器和太陽(yáng)能逆變器等。但是，這些器件的發(fā)展相對(duì)較慢，可能有以下幾個(gè)原因：

產(chǎn)品編號(hào)：	QD-DD156N31A601CJ
制造商產(chǎn)品編號(hào)：	DTC144ECA
制造商：	長(zhǎng)電
系列：	長(zhǎng)電-三極管（晶體管）
產(chǎn)品類型：	數(shù)字晶體管
極性：	NPN
耗散功率(PD) ：	200mW
電流 (mA) ：	100mA
電壓 (V）：	50V
封裝：	SOT-23
說(shuō)明：	數(shù)字晶體管 ,DTC144ECA ,NPN ,200mW ,100mA ,50V ,68 ,SOT-23

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DTC144ECA,長(zhǎng)電,數(shù)字晶體管

DTC144ECA

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DTC144ECA,長(zhǎng)電,數(shù)字晶體管

DTC144ECA

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