碳化硅(SiC)襯底片是制造SiC器件的關鍵材料之一,它可以提供高度晶格匹配?低缺陷密度和高質量的表面平整度?隨著碳化硅功率器件市場的不斷擴大,碳化硅襯底片也得到了廣泛應用,并在未來幾年內有望繼續(xù)保持快速增長?

碳化硅襯底片發(fā)展前景如下:

1. 不斷提升的制備技術:隨著碳化硅材料制備技術的不斷進步,碳化硅襯底片的質量和尺寸等方面都得到了顯著提高?目前已經(jīng)實現(xiàn)了直徑8英寸的碳化硅襯底片制備,而且正在逐步推進12英寸的生產,這將進一步促進其產業(yè)化進程?

2. 日益增長的需求:碳化硅襯底片被廣泛應用于電力電子?汽車電子?通信設備?太陽能逆變器?風力發(fā)電機等領域,隨著這些市場不斷擴大,對碳化硅襯底片的需求也會不斷增加?

3. 持續(xù)創(chuàng)新的研究:目前,研究人員正在探索新的碳化硅襯底片制備技術和優(yōu)化方法,例如通過引入導向層和納米壓氧處理等技術來改善襯底片表面質量,以及開發(fā)更高質量?更大尺寸?更低成本的襯底片等?

4. 市場競爭壓力:當前,碳化硅襯底片制備領域存在多個玩家,主要包括日本SUMITOMO?美國Cree?德國Fraunhofer?中國東華測試等公司,市場競爭壓力較大,但也促使其不斷提高產品質量和創(chuàng)新能力,以滿足客戶需求?

綜上所述,隨著碳化硅功率器件市場的不斷擴大和技術的不斷進步,碳化硅襯底片具有廣闊的發(fā)展前景,并將在未來幾年內繼續(xù)保持快速增長?(君芯-MOS)