SiC MOSFET的電性測(cè)試項(xiàng)目Vgs主要指門(mén)源電壓(Gate-Source Voltage)?Vgs是指通過(guò)控制門(mén)極電壓,調(diào)節(jié)MOSFET導(dǎo)通電流的電壓值?在測(cè)試中,通常會(huì)測(cè)量MOSFET在不同Vgs下的漏極電流和導(dǎo)通電阻等參數(shù),以評(píng)估其性能?對(duì)于SiC MOSFET來(lái)說(shuō),由于其高電場(chǎng)強(qiáng)度和高溫特性,Vgs測(cè)試需要特別注意測(cè)試環(huán)境的抗干擾能力和溫度控制等方面,以確保測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性?

反向恢復(fù)電流(Reverse Recovery Current,簡(jiǎn)稱(chēng)Irr)是指在二極管反向恢復(fù)過(guò)程中,流過(guò)二極管的電流?在SiC材料中,反向恢復(fù)電流比Si材料中的要小得多,這是由于SiC材料的電子親和能較高,電子的復(fù)合速率也較快,使得SiC二極管的反向恢復(fù)時(shí)間較短,因此反向恢復(fù)電流也就較小?同時(shí),由于SiC材料的耐高溫特性,可以采用更高的結(jié)溫來(lái)提高設(shè)備的開(kāi)關(guān)速度和可靠性,這也有助于降低反向恢復(fù)電流?因此,使用SiC材料制造的二極管和MOSFET器件,其反向恢復(fù)電流往往比同等條件下的Si器件要小得多?這種特點(diǎn)使得SiC功率器件在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色,例如電力電子變換器?電動(dòng)汽車(chē)?太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域?(君芯-MOS)