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CJPF04N60,長(zhǎng)電,MOSFETS

屬性名稱	屬性值
制造商	長(zhǎng)電
產(chǎn)品系列	長(zhǎng)電-MOS管
產(chǎn)品類別	MOSFETS
歐盟RoHS指令	符合(2011/65/EU)要求
歐盟REACH法規(guī)	不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

屬性名稱

屬性值

制造商

長(zhǎng)電

產(chǎn)品系列

長(zhǎng)電-MOS管

產(chǎn)品類別

MOSFETS

歐盟RoHS指令

符合(2011/65/EU)要求

歐盟REACH法規(guī)

不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

產(chǎn)品推薦 廠商動(dòng)態(tài) 產(chǎn)品應(yīng)用

碳化硅(SiC)電源管理解決方案搭配碳化硅(SiC)解決方案支持以更小、更輕和更高效的電氣方案取代飛機(jī)的氣動(dòng)和液壓系統(tǒng)，為機(jī)載交流發(fā)電機(jī)、執(zhí)行機(jī)構(gòu)和輔助動(dòng)力裝置（APU）供電。這類解決方案還可以減少這些系統(tǒng)的維護(hù)需求。但是，SiC技術(shù)最顯著的貢獻(xiàn)體現(xiàn)在其所肩負(fù)實(shí)現(xiàn)商用運(yùn)輸車輛電氣化的使命上，這些車輛是世界上最大的GHG排放源之一。隨著1700V金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）和可配置數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)的問世，現(xiàn)今的SiC解決方案使設(shè)計(jì)人員能夠讓這些系統(tǒng)以最少的能源消耗產(chǎn)生最大的生產(chǎn)力。

為什么SiC MOS負(fù)壓高會(huì)影響閥值漂移 SiC MOSFET 被負(fù)壓影響閥值漂移是因?yàn)檫@種器件具有較高的漏電流，這會(huì)導(dǎo)致控制端電壓與源端電壓之間的差值變小，從而影響 MOSFET 的開關(guān)性能。此外，高負(fù)壓還可能導(dǎo)致 MOSFET 進(jìn)入破裂模式，并引發(fā)其他不良影響。

SiC芯片制造的主要6個(gè)環(huán)節(jié) SiC芯片制造的主要6個(gè)具體流程：前處理，晶圓處理，晶體生長(zhǎng)，集成電路設(shè)計(jì)與制作，晶片測(cè)試，整合。

碳化硅(SiC)MOSFET芯片的設(shè)計(jì)與制造過程對(duì)于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說，高質(zhì)量的襯底可以從外部購(gòu)買得到，高質(zhì)量的外延片也可以從外部購(gòu)買到，可是這只是具備了獲得一個(gè)碳化硅器件的良好基礎(chǔ)，高性能的碳化硅器件對(duì)于器件的設(shè)計(jì)和制造工藝有著極高的要求。這篇文章將為您介紹SiC MOSFET器件設(shè)計(jì)和制造流程。

MOS管比晶體三極管的優(yōu)勢(shì)有哪些？ MOS管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)與晶體管有哪些區(qū)別和優(yōu)勢(shì)，本文詳細(xì)介紹。

MOS管損耗計(jì)算方法及公式 MOS 管的損耗可以通過計(jì)算其電流損耗和功率損耗來估算。電流損耗是指在 MOS 管內(nèi)部通過電流時(shí)產(chǎn)生的損耗，這是由于電子在通過 MOS 管時(shí)與硅基材產(chǎn)生電阻損耗。這種損耗可以通過如下公式計(jì)算：

SiC MOS驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì) SiC?mos驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)?SiC?mos驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)是一個(gè)復(fù)雜的過程，需要考慮許多因素，如電氣性能、熱特性和封裝選擇。為了提高可靠性和性能，應(yīng)該考慮以下幾個(gè)方面：

氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)到底有哪些區(qū)別？氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶體管這兩種化合物半導(dǎo)體器件已作為方案出現(xiàn)。這些器件與長(zhǎng)使用壽命的硅功率橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS) MOSFET和超級(jí)結(jié)MOSFET競(jìng)爭(zhēng)。GaN和SiC器件在某些方面是相似的，但也有很大的差異。

碳化硅(SiC)二極管的應(yīng)用碳化硅MOSFET模塊在光伏、風(fēng)電、電動(dòng)汽車及軌道交通等中高功率電力系統(tǒng)應(yīng)用上具有巨大的優(yōu)勢(shì)。碳化硅器件的高壓高頻和高效率的優(yōu)勢(shì)，可以突破現(xiàn)有電動(dòng)汽車電機(jī)設(shè)計(jì)上因器件性能而受到的限制，這是目前國(guó)內(nèi)外電動(dòng)汽車電機(jī)領(lǐng)域研發(fā)的重點(diǎn)。

SiC SBD和SiC MOSFET區(qū)別有哪些？ SiC SBD和SiC MOSFET是由極化硅碳化硅材料制成的芯片，具有較高的散熱性和導(dǎo)電性能。其差異在于：

產(chǎn)品編號(hào)： {{currentProduct.code}}

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產(chǎn)品編號(hào)：	MOS-MNM1082W00M2660017CJ
制造商產(chǎn)品編號(hào)：	CJPF04N60
制造商：	長(zhǎng)電
系列：	長(zhǎng)電-MOS
產(chǎn)品類型：	MOSFETS
類型：	N-ch
功率(PD) ：	2W
電流（ID) ：	4A
電壓（V) ：	600V
封裝：	TO-220F
說明：	MOS ,N-ch ,CJPF04N60 ,2W ,4A ,600V ,TO-220F

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CJPF04N60,長(zhǎng)電,MOSFETS

CJPF04N60

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