SiC SBD和SiC MOSFET是由極化硅碳化硅材料制成的芯片,具有較高的散熱性和導(dǎo)電性能? 其差異在于:

SiC SBD:SiC SBD(SiC 雙極器)是將硅碳和硅晶體作為元件材料,構(gòu)造出極化硅碳雙極器?它由兩個(gè)正反向雙極器組成,每個(gè)雙極器具有獨(dú)立的閘?漏和集電極?它屬于壓力可控元件,具有反向電流保護(hù)?發(fā)射和抑制功能?由于其高遷移率,SiC SBD能夠快速控制壓降,從而使絕緣式傳輸元件具有很大的數(shù)據(jù)傳輸率?

SiC MOSFET:SiC MOSFET(SiC 場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是<一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管,具有極低的瞬態(tài)延遲和瞬態(tài)損失,能夠在高頻和諧振循環(huán)中實(shí)現(xiàn)快速切換?它可以作為功率組件的基礎(chǔ),用于高頻功率轉(zhuǎn)換,激光照明,紅外加熱,飛機(jī)馬達(dá),高速攝像頭和航空電力系統(tǒng)等電子系統(tǒng)?

應(yīng)用中的優(yōu)點(diǎn):

SiC SBD:它具有高溫性能,可以在高溫環(huán)境中工作,這使其能夠應(yīng)用于高武備電子設(shè)備,例如飛行器電子電路?此外,SIC SBD具有良好的導(dǎo)電能力,從而可以減少由于散熱不足而導(dǎo)致的功耗降低?

SiC MOSFET:它具有低攪亂,爬升時(shí)間快,損耗小等優(yōu)點(diǎn),同時(shí)精度也很高,可以用于操作的頻率較高的電子設(shè)備?(君芯-MOS)