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2SC4738,長(zhǎng)電,三極管（晶體管）

屬性名稱	屬性值
制造商	長(zhǎng)電
產(chǎn)品系列	長(zhǎng)電-三極管（晶體管）
產(chǎn)品類別	三極管（晶體管）
歐盟RoHS指令	符合(2011/65/EU)要求
歐盟REACH法規(guī)	不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

屬性名稱

屬性值

制造商

長(zhǎng)電

產(chǎn)品系列

長(zhǎng)電-三極管（晶體管）

產(chǎn)品類別

三極管（晶體管）

歐盟RoHS指令

符合(2011/65/EU)要求

歐盟REACH法規(guī)

不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

文件類型	文件名
規(guī)格書	2SC4738_SOT-523

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2SC4738_SOT-523

產(chǎn)品推薦 廠商動(dòng)態(tài) 產(chǎn)品應(yīng)用

MOS管損耗計(jì)算方法及公式 MOS 管的損耗可以通過計(jì)算其電流損耗和功率損耗來估算。電流損耗是指在 MOS 管內(nèi)部通過電流時(shí)產(chǎn)生的損耗，這是由于電子在通過 MOS 管時(shí)與硅基材產(chǎn)生電阻損耗。這種損耗可以通過如下公式計(jì)算：

碳化硅(SiC)MOSFET在新能源充電樁的廣泛應(yīng)用碳化硅功率器件涵蓋650V/2A-100A，1200V/2A-90A，1700V/5A-80A等系列，產(chǎn)品已經(jīng)投入批量生產(chǎn)，產(chǎn)品完全可以對(duì)標(biāo)國(guó)際品牌同行的先進(jìn)品質(zhì)及水平。先后推出全電流電壓等級(jí)碳化硅肖特基二極管、通過工業(yè)級(jí)、車規(guī)級(jí)可靠性測(cè)試的碳化硅MOSFET系列產(chǎn)品，性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，應(yīng)用于太陽能逆變電源、新能源電動(dòng)汽車及充電樁、智能電網(wǎng)、高頻電焊、軌道交通、工業(yè)控制特種電源、國(guó)防軍工等領(lǐng)域。

P溝道增強(qiáng)型VDS和CGS計(jì)算方式在P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（P-Channel Enhanced Mode FET）中，VDS代表的是漏極（Drain）和源極（Source）之間的電壓，CGS代表的是柵極（Gate）和源極之間的電容。計(jì)算VDS時(shí)，需要考慮P-Channel Enhanced Mode FET的工作狀態(tài)，一般情況下可以采用以下公式進(jìn)行計(jì)算：

SiC碳化硅MOSFET器件介紹 SiC器件是一種新型的硅基 MOSFET，特別是 SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN結(jié)組成。

碳化硅(SiC)電源管理解決方案搭配碳化硅(SiC)解決方案支持以更小、更輕和更高效的電氣方案取代飛機(jī)的氣動(dòng)和液壓系統(tǒng)，為機(jī)載交流發(fā)電機(jī)、執(zhí)行機(jī)構(gòu)和輔助動(dòng)力裝置（APU）供電。這類解決方案還可以減少這些系統(tǒng)的維護(hù)需求。但是，SiC技術(shù)最顯著的貢獻(xiàn)體現(xiàn)在其所肩負(fù)實(shí)現(xiàn)商用運(yùn)輸車輛電氣化的使命上，這些車輛是世界上最大的GHG排放源之一。隨著1700V金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）和可配置數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)的問世，現(xiàn)今的SiC解決方案使設(shè)計(jì)人員能夠讓這些系統(tǒng)以最少的能源消耗產(chǎn)生最大的生產(chǎn)力。

什么是SiC MOSFET？ SIC MOSFET（Silicon Carbide MOSFET）是一種新型的半導(dǎo)體器件，具有較高的熱穩(wěn)定性、較高的電導(dǎo)率和較高的高頻特性。學(xué)習(xí) SIC MOSFET 包括以下幾個(gè)方面：

SiC SBD和SiC MOSFET區(qū)別有哪些？ SiC SBD和SiC MOSFET是由極化硅碳化硅材料制成的芯片，具有較高的散熱性和導(dǎo)電性能。其差異在于：

SiC MOS驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì) SiC?mos驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)?SiC?mos驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)是一個(gè)復(fù)雜的過程，需要考慮許多因素，如電氣性能、熱特性和封裝選擇。為了提高可靠性和性能，應(yīng)該考慮以下幾個(gè)方面：

碳化硅(SIC)MOSFET的電路符號(hào) 碳化硅(SiC)MOSFET 的電路符號(hào)與傳統(tǒng)的硅 MOSFET 的符號(hào)類似，只是在符號(hào)上加上了一些特殊的標(biāo)記來表示其特性。

SiC芯片制造的主要6個(gè)環(huán)節(jié) SiC芯片制造的主要6個(gè)具體流程：前處理，晶圓處理，晶體生長(zhǎng)，集成電路設(shè)計(jì)與制作，晶片測(cè)試，整合。

產(chǎn)品編號(hào)： {{currentProduct.code}}

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采購(gòu)數(shù)量： {{currentProduct.num}}

購(gòu)物車（{{myCartItems.length}}項(xiàng)目）

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產(chǎn)品編號(hào)：	QT-TQT256N50VC02141103CJL
制造商產(chǎn)品編號(hào)：	2SC4738
制造商：	長(zhǎng)電
系列：	長(zhǎng)電-三極管（晶體管）
產(chǎn)品類型：	三極管（晶體管）
極性：	NPN
發(fā)射極電壓（?VCEO）? ：	50V
基極電壓（?VCBO）? ：	60V
耗散功率：	100mW
封裝：	SOT-523
說明：	三極管（晶體管） ,2SC4738 ,NPN ,VCEO:50V ,VCBO: 60V ,100mW ,150mA ,SOT-523,LL

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2SC4738,長(zhǎng)電,三極管（晶體管）

2SC4738

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