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CJ3415,長(zhǎng)電,MOSFETS

屬性名稱	屬性值
制造商	長(zhǎng)電
產(chǎn)品系列	長(zhǎng)電-MOS管
產(chǎn)品類別	MOSFETS
歐盟RoHS指令	符合(2011/65/EU)要求
歐盟REACH法規(guī)	不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

屬性名稱

屬性值

制造商

長(zhǎng)電

產(chǎn)品系列

長(zhǎng)電-MOS管

產(chǎn)品類別

MOSFETS

歐盟RoHS指令

符合(2011/65/EU)要求

歐盟REACH法規(guī)

不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

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產(chǎn)品推薦 廠商動(dòng)態(tài) 產(chǎn)品應(yīng)用

碳化硅(SiC)陶瓷應(yīng)用半導(dǎo)體碳化硅(SiC)陶瓷是一種半導(dǎo)體材料，在很多半導(dǎo)體應(yīng)用中有廣泛的使用。以下是一些典型的碳化硅陶瓷半導(dǎo)體應(yīng)用：

低感SiC 功率模塊介紹低感SiC功率模塊指的是使用硅碳化物（SiC）作為半導(dǎo)體材料的功率模塊，具有較低的電感值。與傳統(tǒng)的硅（Si）功率模塊相比，低感SiC功率模塊具有更高的開關(guān)速度和更低的開關(guān)損耗，從而提高了系統(tǒng)的效率和可靠性。

碳化硅(SiC)MOSFET在新能源充電樁的廣泛應(yīng)用碳化硅功率器件涵蓋650V/2A-100A，1200V/2A-90A，1700V/5A-80A等系列，產(chǎn)品已經(jīng)投入批量生產(chǎn)，產(chǎn)品完全可以對(duì)標(biāo)國(guó)際品牌同行的先進(jìn)品質(zhì)及水平。先后推出全電流電壓等級(jí)碳化硅肖特基二極管、通過工業(yè)級(jí)、車規(guī)級(jí)可靠性測(cè)試的碳化硅MOSFET系列產(chǎn)品，性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變電源、新能源電動(dòng)汽車及充電樁、智能電網(wǎng)、高頻電焊、軌道交通、工業(yè)控制特種電源、國(guó)防軍工等領(lǐng)域。

MOS管開關(guān)應(yīng)用必須設(shè)置泄放電阻是什么原因？ MOS管開關(guān)應(yīng)用必須設(shè)置泄放電阻是什么原因？

碳化硅(SiC)二極管反向恢復(fù)原理詳解碳化硅二極管是單極器件，因此與傳統(tǒng)的硅快速恢復(fù)二極管(硅FRD)相比，碳化硅二極管具有理想的反向恢復(fù)特性。當(dāng)器件從正向切換到反向阻斷方向時(shí)，幾乎沒有反向恢復(fù)功率，反向恢復(fù)時(shí)間小于20ns，甚至600V10A碳化硅二極管的反向恢復(fù)時(shí)間也小于10ns。

數(shù)字信號(hào)可以經(jīng)過隔離芯片嗎數(shù)字信號(hào)可以經(jīng)過隔離芯片嗎？答案是可以的。數(shù)字信號(hào)可以經(jīng)過隔離芯片進(jìn)行傳輸。隔離芯片主要用于將信號(hào)隔離開來，以達(dá)到電氣隔離、地隔離或光隔離等的目的。隔離芯片通常由兩個(gè)部分組成：隔離前端和隔離后端。

碳化硅陶瓷（SiC Ceramic）的特性與應(yīng)用場(chǎng)景碳化硅陶瓷（SiC Ceramic）是一種高性能材料，具有高強(qiáng)度、高硬度、高溫度穩(wěn)定性、優(yōu)異的耐腐蝕性和低熱膨脹系數(shù)等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、航空、國(guó)防、核能和化學(xué)工業(yè)等領(lǐng)域。

MOS管作為開關(guān)管應(yīng)用的特殊驅(qū)動(dòng)電路(灌流電路) MOS管作為開關(guān)管應(yīng)用的特殊驅(qū)動(dòng)電路(灌流電路)。MOS管和普通晶體三極管相比，有諸多的優(yōu)點(diǎn)，但是在作為大功率開關(guān)管應(yīng)用時(shí)，由于MOS管具有的容性輸入特性，MOS管的輸入端，等于是一個(gè)小電容器，輸入的開關(guān)激勵(lì)信號(hào)，實(shí)際上是在對(duì)這個(gè)電容進(jìn)行反復(fù)的充電、放電的過程，在充放電的過程中，使MOS管道導(dǎo)通和關(guān)閉產(chǎn)生了滯后，使“開”與“關(guān)”的過程變慢，這是開關(guān)元件不能允許的（功耗增加，燒壞開關(guān)管）。

SiC碳化硅MOS雙脈沖測(cè)試設(shè)備對(duì)驅(qū)動(dòng)板的要求有哪些？ SiC碳化硅MOS雙脈沖測(cè)試設(shè)備對(duì)驅(qū)動(dòng)板的要求如下：

SiC SBD和SiC MOSFET區(qū)別有哪些？ SiC SBD和SiC MOSFET是由極化硅碳化硅材料制成的芯片，具有較高的散熱性和導(dǎo)電性能。其差異在于：

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產(chǎn)品編號(hào)：	MOS-MPM0450W35M15F2001CJ
制造商產(chǎn)品編號(hào)：	CJ3415
制造商：	長(zhǎng)電
系列：	長(zhǎng)電-MOS
產(chǎn)品類型：	MOSFETS
類型：	P-ch
功率(PD) ：	0.35W
電流（ID) ：	-4A
電壓（V) ：	-20V
封裝：	SOT-23
說明：	MOS ,P-ch ,CJ3415 ,0.35W ,-4A ,-20V ,SOT-23

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CJ3415,長(zhǎng)電,MOSFETS

CJ3415

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