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BCP55,長電,三極管（晶體管）

屬性名稱	屬性值
制造商	長電
產(chǎn)品系列	長電-三極管（晶體管）
產(chǎn)品類別	三極管（晶體管）
歐盟RoHS指令	符合(2011/65/EU)要求
歐盟REACH法規(guī)	不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

屬性名稱

屬性值

制造商

長電

產(chǎn)品系列

長電-三極管（晶體管）

產(chǎn)品類別

三極管（晶體管）

歐盟RoHS指令

符合(2011/65/EU)要求

歐盟REACH法規(guī)

不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

文件類型	文件名
規(guī)格書	BCP54_55_56SOT-223.pdf

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BCP54_55_56SOT-223.pdf

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產(chǎn)品推薦 廠商動(dòng)態(tài) 產(chǎn)品應(yīng)用

MMST5401

三極管（晶體管） ,MMST5401 ,PNP ,VCEO:150V ,VCBO: 160V ,200mW ,600mA ,SOT-323

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2SC5344

三極管（晶體管） ,2SC5344 ,NPN ,VCEO:30V ,VCBO: 35V ,200mW ,800mA ,SOT-23,FAY

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KSA1182

三極管（晶體管） ,KSA1182 ,PNP ,VCEO:30V ,VCBO: 35V ,150mW ,500mA ,SOT-23,F1Y

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2PD601AW

三極管（晶體管） ,2PD601AW ,NPN ,VCEO:50V ,VCBO: 60V ,200mW ,100mA ,SOT-323,6F

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2SA1576A

三極管（晶體管） ,2SA1576A ,PNP ,VCEO:50V ,VCBO: 60V ,200mW ,150mA ,SOT-323,FQ

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2SA1585

三極管（晶體管） ,2SA1585 ,PNP ,VCEO:20V ,VCBO: 20V ,350mW ,2000mA ,SOT-23,R

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BCP51

三極管（晶體管） ,BCP51 ,PNP ,VCEO:45V ,VCBO: 45V ,1500mW ,1000mA ,SOT-223,16

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MMBTA92

三極管（晶體管） ,MMBTA92 ,PNP ,VCEO:300V ,VCBO: 300V ,300mW ,300mA ,SOT-23

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2SA1774

三極管（晶體管） ,2SA1774 ,PNP ,VCEO:50V ,VCBO: 60V ,150mW ,150mA ,SOT-523,FS

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KTC3879

三極管（晶體管） ,KTC3879 ,NPN ,VCEO:30V ,VCBO: 35V ,150mW ,50mA ,SOT-23,RO

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MMBTA43

三極管（晶體管） ,MMBTA43 ,NPN ,VCEO:200V ,VCBO: 200V ,350mW ,500mA ,SOT-23

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2SC3052

三極管（晶體管） ,2SC3052 ,NPN ,VCEO:50V ,VCBO: 50V ,150mW ,200mA ,SOT-23,LG

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2SD0602A

三極管（晶體管） ,2SD0602A ,NPN ,VCEO:50V ,VCBO: 60V ,200mW ,500mA ,SOT-23,XS

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FMMT4124

三極管（晶體管） ,FMMT4124 ,NPN ,VCEO:25V ,VCBO: 30V ,330mW ,200mA ,SOT-23

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S8550

三極管（晶體管） ,S8550 ,PNP ,VCEO:25V ,VCBO: 40V ,300mW ,500mA ,SOT-23

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2SC3052

三極管（晶體管） ,2SC3052 ,NPN ,VCEO:50V ,VCBO: 50V ,150mW ,200mA ,SOT-23,LF

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2SA812

三極管（晶體管） ,2SA812 ,PNP ,VCEO:50V ,VCBO: 60V ,200mW ,100mA ,SOT-23,M6

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2SC2411

三極管（晶體管） ,2SC2411 ,NPN ,VCEO:32V ,VCBO: 40V ,200mW ,500mA ,SOT-23,CQ

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BCW61

三極管（晶體管） ,BCW61 ,PNP ,VCEO:32V ,VCBO: 32V ,250mW ,100mA ,SOT-23,BD

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2SA1611

三極管（晶體管） ,2SA1611 ,PNP ,VCEO:50V ,VCBO: 60V ,150mW ,100mA ,SOT-323,M5

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產(chǎn)品推薦 廠商動(dòng)態(tài) 產(chǎn)品應(yīng)用

全SiC MOSFET模塊實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的低損耗和小型化 SiC?MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半導(dǎo)體器件，在高速開關(guān)性能和高溫環(huán)境中，優(yōu)于目前主流應(yīng)用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業(yè)設(shè)備應(yīng)用中，SiC MOSFET模塊可以滿足包括軌道車用逆變器、轉(zhuǎn)換器和光伏逆變器在內(nèi)的應(yīng)用需求，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的低損耗和小型化。

SiC MOS驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì) SiC?mos驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)?SiC?mos驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)是一個(gè)復(fù)雜的過程，需要考慮許多因素，如電氣性能、熱特性和封裝選擇。為了提高可靠性和性能，應(yīng)該考慮以下幾個(gè)方面：

高壓SiC MOSFET器件為什么發(fā)展慢高壓SiC MOSFET器件具有許多優(yōu)勢(shì)，例如低導(dǎo)通電阻、高溫性能和高頻特性等，因此在一些應(yīng)用中有著廣泛的前景，例如電動(dòng)汽車、電力電子變換器和太陽能逆變器等。但是，這些器件的發(fā)展相對(duì)較慢，可能有以下幾個(gè)原因：

碳化硅二極管：在光伏行業(yè)中的重要作用碳化硅(SiC)二極管具有高穩(wěn)定性和高效率，因此它適用于各種光伏應(yīng)用，如太陽能電池板和太陽能系統(tǒng)。例如，在太陽能電池板中，碳化硅二極管可以防止電流過大或過壓，從而保護(hù)太陽能電池元件。在太陽能系統(tǒng)中，它也可以限制充電電流，控制電池的充電和放電過程。

低感SiC 功率模塊介紹低感SiC功率模塊指的是使用硅碳化物（SiC）作為半導(dǎo)體材料的功率模塊，具有較低的電感值。與傳統(tǒng)的硅（Si）功率模塊相比，低感SiC功率模塊具有更高的開關(guān)速度和更低的開關(guān)損耗，從而提高了系統(tǒng)的效率和可靠性。

P溝道增強(qiáng)型VDS和CGS計(jì)算方式在P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（P-Channel Enhanced Mode FET）中，VDS代表的是漏極（Drain）和源極（Source）之間的電壓，CGS代表的是柵極（Gate）和源極之間的電容。計(jì)算VDS時(shí)，需要考慮P-Channel Enhanced Mode FET的工作狀態(tài)，一般情況下可以采用以下公式進(jìn)行計(jì)算：

選擇氮化鎵(SiC)mosfet的5種重要技巧為了證明您選擇 SiC 作為開關(guān)模式設(shè)計(jì)的首選功率半導(dǎo)體是正確的，請(qǐng)考慮以下突出的特性。與標(biāo)準(zhǔn)或超級(jí)結(jié) MOSFET 甚至 IGBT 相比，SiC 器件可以在更高的電壓、更高的頻率和更高的溫度下運(yùn)行。其他器件的大部分功率損耗在 SiC 器件中是不存在的，因此 SiC 器件在大多數(shù)應(yīng)用中的效率可以達(dá)到 90% 以上。最初，SiC 器件比其他 MOSFET 或 IGBT 更昂貴。

碳化硅(SiC)陶瓷應(yīng)用半導(dǎo)體碳化硅(SiC)陶瓷是一種半導(dǎo)體材料，在很多半導(dǎo)體應(yīng)用中有廣泛的使用。以下是一些典型的碳化硅陶瓷半導(dǎo)體應(yīng)用：

碳化硅(SiC)MOSFET芯片的設(shè)計(jì)與制造過程對(duì)于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說，高質(zhì)量的襯底可以從外部購買得到，高質(zhì)量的外延片也可以從外部購買到，可是這只是具備了獲得一個(gè)碳化硅器件的良好基礎(chǔ)，高性能的碳化硅器件對(duì)于器件的設(shè)計(jì)和制造工藝有著極高的要求。這篇文章將為您介紹SiC MOSFET器件設(shè)計(jì)和制造流程。

SIC MOSFET模塊的優(yōu)勢(shì) mos模塊由CiscoIOS開發(fā)的一個(gè)網(wǎng)絡(luò)連接網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器，下載較迅速有效地管理網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器資源。mos模塊可以使管理員更便捷的訪問網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器來管理服務(wù)器，以及修改服務(wù)器的通信參數(shù)，修改服務(wù)器的業(yè)務(wù)腳本，moS 為應(yīng)用程序的增強(qiáng)提供更多的可能性和靈活性，也解決了傳統(tǒng)的系統(tǒng)管理問題，為系統(tǒng)管理提供了更多的靈活性和靈活性。

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產(chǎn)品編號(hào)：	QT-TQT429N60VC02130619CJ0
制造商產(chǎn)品編號(hào)：	BCP55
制造商：	長電
系列：	長電-三極管（晶體管）
產(chǎn)品類型：	三極管（晶體管）
極性：	NPN
發(fā)射極電壓（?VCEO）? ：	60V
基極電壓（?VCBO）? ：	60V
耗散功率：	1500mW
封裝：	SOT-223
說明：	三極管（晶體管） ,BCP55 ,NPN ,VCEO:60V ,VCBO: 60V ,1500mW ,1000mA ,SOT-223,10

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BCP55,長電,三極管（晶體管）

BCP55

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