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SS16,晶導(dǎo),肖特基二極管

屬性名稱	屬性值
制造商	晶導(dǎo)
產(chǎn)品系列	晶導(dǎo)-肖特基二極管
產(chǎn)品類別	肖特基二極管
歐盟RoHS指令	符合(2011/65/EU)要求
歐盟REACH法規(guī)	不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

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制造商

晶導(dǎo)

產(chǎn)品系列

晶導(dǎo)-肖特基二極管

產(chǎn)品類別

肖特基二極管

歐盟RoHS指令

符合(2011/65/EU)要求

歐盟REACH法規(guī)

不含有REACH SVHC(1907/2006/EC)

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規(guī)格書	JDSS12-SS120 SMA.pdf

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碳化硅(SiC)二極管是什么？如何判斷好壞碳化硅（SiC）二極管是用碳化硅為原料制作而成的二極管。碳化硅二極管，號稱反向恢復(fù)時間為零，是高效PFC boost電路的專用升壓二極管。

肖特基二極管和碳化硅肖特基二極管的區(qū)別肖特基二極管和碳化硅肖特基二極管是兩種不同類型的二極管。

碳化硅(SiC)二極管的測試與檢測方法碳化硅（SiC）二極管具有較低的開關(guān)損耗、高的反向耐壓和熱穩(wěn)定性，已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用。下面是SiC二極管的使用方法和檢測方法：

P溝道增強型VDS和CGS計算方式在P溝道增強型場效應(yīng)晶體管（P-Channel Enhanced Mode FET）中，VDS代表的是漏極（Drain）和源極（Source）之間的電壓，CGS代表的是柵極（Gate）和源極之間的電容。計算VDS時，需要考慮P-Channel Enhanced Mode FET的工作狀態(tài)，一般情況下可以采用以下公式進行計算：

碳化硅(SiC)二極管反向恢復(fù)原理詳解碳化硅二極管是單極器件，因此與傳統(tǒng)的硅快速恢復(fù)二極管(硅FRD)相比，碳化硅二極管具有理想的反向恢復(fù)特性。當(dāng)器件從正向切換到反向阻斷方向時，幾乎沒有反向恢復(fù)功率，反向恢復(fù)時間小于20ns，甚至600V10A碳化硅二極管的反向恢復(fù)時間也小于10ns。

MOSFET vds 振鈴是什么？ VDS 震鈴是指在使用碳化硅 MOSFET 時，VDS（直流源漏電壓）發(fā)生震蕩的現(xiàn)象。這是由于 MOSFET 的特殊工作原理導(dǎo)致的，因為 MOSFET 是一種開關(guān)器件，它具有在開啟和關(guān)閉狀態(tài)間變化的能力。

碳化硅(SiC)二極管的使用方法使用碳化硅二極管時，需要注意一些安全因素，如避免過大的電流流經(jīng)二極管，以防損壞。在使用過程中，還需要注意電路設(shè)計和二極管的選擇，以確保系統(tǒng)的最佳性能。

碳化硅二極管：在光伏行業(yè)中的重要作用碳化硅(SiC)二極管具有高穩(wěn)定性和高效率，因此它適用于各種光伏應(yīng)用，如太陽能電池板和太陽能系統(tǒng)。例如，在太陽能電池板中，碳化硅二極管可以防止電流過大或過壓，從而保護太陽能電池元件。在太陽能系統(tǒng)中，它也可以限制充電電流，控制電池的充電和放電過程。

碳化硅(SiC)二極管壓降因素 “碳化硅二極管壓降” 是指碳化硅二極管的電動勢差。碳化硅二極管是一種半導(dǎo)體器件，具有P-N結(jié)結(jié)構(gòu)，可以用于控制電流或電壓。二極管壓降是指在二極管正向?qū)顟B(tài)下，二極管的P-N結(jié)之間的電動勢差，即正向偏置電壓。這是由于二極管中接觸面的電勢差導(dǎo)致的。

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產(chǎn)品編號：	DK-K27660V01A0019AA17JD
制造商產(chǎn)品編號：	SS16
制造商：	晶導(dǎo)
系列：	晶導(dǎo)-肖特基二極管
產(chǎn)品類型：	肖特基二極管
工作電壓：	60V
工作電流：	1000mA
壓降(VF) ：	0.7V
封裝：	SMA/DO-214AC
說明：	肖特基二極管 ,SS16 ,VR:60V ,IO:1000mA ,VF:0.7V ,- ,SMA

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